硼(B)摻雜的P型單晶硅(Cz-直拉法)電池的光衰現(xiàn)象早在1973年已發(fā)現(xiàn)，該光衰之后被發(fā)現(xiàn)可一定程度恢復(fù)的。Jan Scht發(fā)現(xiàn)了該光衰主要是“B-O對”引起的并給出了該缺陷的結(jié)構(gòu)(2003)。Axel Herguth提出了“再生態(tài)”理論解釋初始光衰后功率恢復(fù)并保持穩(wěn)定的原理(2006)。P型多晶硅電池的衰減則因氧含量相對少而恢復(fù)過程不明顯，該衰減被認(rèn)為不僅與B-O對相關(guān)，同時也與金屬雜質(zhì)相關(guān)。

B-O引起的光衰經(jīng)過一段時間的光照可有一定程度的恢復(fù)，如P型單晶硅組件在最初戶外運行的2~3個月，會經(jīng)歷較明顯的衰減與部分恢復(fù)過程，商業(yè)化產(chǎn)品首年的衰減可保持在3%以內(nèi)，P型多晶組件的首年衰減則一般按￡2.5%來質(zhì)保，電池均無需經(jīng)過“再生”處理。

2.PERC組件的光衰

P型PERC技術(shù)對晶硅電池背面做鈍化，電子需要擴散更長的距離經(jīng)過激光開槽處才能傳輸?shù)奖趁娴匿X電極，因此缺陷與雜質(zhì)會引起更加明顯的光衰。如下圖所示，P型單晶PERC電池的光衰均高于常規(guī)單晶，P型多晶PERC電池的光衰也高于常規(guī)多晶，單晶PERC電池光衰達(dá)到3%后開始恢復(fù)，多晶PERC電池在約40小時光衰快速達(dá)到約3%后繼續(xù)衰減至5.5%以上，鑄造單晶在400小時內(nèi)也并未發(fā)生光衰恢復(fù)。

因此PERC電池需要經(jīng)過“再生”處理，如下圖所示，在130攝氏度1.2suns光照1小時的再生處理并穩(wěn)定后，單晶PERC電池效率可恢復(fù)初始值的99.5%。2014年起單晶PERC技術(shù)開始規(guī)模應(yīng)用的原因就是：1發(fā)現(xiàn)了具有很好鈍化效果的AlOx，2通過產(chǎn)業(yè)化的“再生”處理可以對單晶PERC電池的光衰有效控制。研究人員也發(fā)現(xiàn)光致衰減實際上是載流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以稱之為CID，高劑量光照或高電流注入均可以加速“再生”過程，生產(chǎn)出“B-O光衰”基本被消除的PERC電池。值得指出的是：常規(guī)單晶電池如經(jīng)過再生處理后的光衰表現(xiàn)略優(yōu)于單晶PERC電池，很可能是 “B-O光衰”光衰被基本消除后雜質(zhì)引起的光衰所起的作用，所以制造單晶PERC電池有必要注意硅片的雜質(zhì)含量。