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    美開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜

      據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)8月21日(北京時間)報道,美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出版的《納米快報》雜志網(wǎng)絡(luò)版上。   半導(dǎo)體納米晶體的大小決定了它們的電子

     

      據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)8月21日(北京時間)報道,美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出版的《納米快報》雜志網(wǎng)絡(luò)版上。

      半導(dǎo)體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學(xué)性質(zhì)。但想通過控制納米晶體在表面上的布置,形成具有均勻結(jié)構(gòu)的薄膜卻十分困難。典型的納米晶體薄膜一般都有能限制自身效用的裂縫,使得科研人員無法測量這些材料的基本特性。

      此次制成的無缺陷薄膜的導(dǎo)電率約為傳統(tǒng)方法制成的有裂縫薄膜的180倍。科學(xué)家稱,這一制造方法還能應(yīng)用于硅表面,制成30納米寬的薄膜。其訣竅在于使薄膜結(jié)構(gòu)變得均勻,緊貼在二氧化硅基座上。這能通過在納米晶體層沉積于硅表面之前,將稀薄的聚合物層覆蓋在表面上實現(xiàn)。據(jù)推測,納米晶體表面上細小的有機分子亦能幫助它們與聚合物層相結(jié)合。

      在研究的最初階段,科研人員生產(chǎn)出的納米薄膜能發(fā)出不可見的紅外光。但基于這種系統(tǒng)的工作十分單調(diào),因為每次微調(diào)都需要進行耗時頗長的電子顯微鏡檢查。而當成功獲取能發(fā)出可見光的半導(dǎo)體納米晶體圖案時,意味著研究團隊能夠大幅加快開發(fā)新技術(shù)的速度。即使納米薄膜低于光學(xué)顯微鏡的分辨率限制,納米晶體亦可作為一個光源,使它們變得可見。

      研究人員表示,這種納米晶體薄膜可以得到多種應(yīng)用。因為它們不僅能發(fā)光,也能吸收多種顏色的光。這有助于形成高分辨率顯示器屏幕上的發(fā)光像素,或是制成新類型的高效、廣譜太陽能電池。同時,這種材料還可被用于開發(fā)針對少量特定生物分子的高敏度探測器,例如作為毒素篩選系統(tǒng)或是醫(yī)藥檢測設(shè)備等。另外,這種技術(shù)的成功也開啟了有關(guān)電子在納米晶體薄膜內(nèi)如何移動的新研究,此前這一直被視為學(xué)界的一大難題。

     

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