(四)現有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求:
1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求;
2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2μs,電阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分別小于16和18PPMA;單晶硅3片少子壽命大于10μs,電阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分別小于10和18PPMA;
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于16%和17%;
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于14.5%和15.5%;
5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于 8%、10%、11%、10%。
(五)新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求:
1.多晶硅滿足《硅多晶》(GB/T12963)2 級品以上要求;
2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2.5μs,電阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;單晶硅片少子壽命大于11μs,電阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18%和20%;
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%;
5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。
(六)多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在2年內分別不高于3.2%和4.2%,25年內不高于20%;薄膜電池組件衰減率在2年內不高于5%,25年內不高于 20%。
三、資源綜合利用及能耗
(一)光伏制造企業和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準,嚴格保護耕地,節約集約用地。
(二)光伏制造項目能耗應滿足以下要求:
1.現有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時/千克,綜合電耗小于140千瓦時/千克;新建和改擴建項目還原電耗小于60千瓦時/千克,綜合電耗小于100千瓦時/千克;