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    光伏行業(yè)的新熱場材料

    2015-05-12 12:58:13 太陽能發(fā)電網(wǎng)
    本文主要概述了單晶硅爐熱場材料的發(fā)展概況,以及石墨熱場材料與C/C熱場材料的性能比較。并指出,隨著產(chǎn)量的提高和生產(chǎn)設(shè)備的大型化,C/C復(fù)合熱場材料將是今后光伏熱場材料的重點(diǎn)發(fā)展方向。

      2.3 保溫筒
      保溫筒在加熱器的外圍,以防熱場能向外散發(fā)。現(xiàn)代保溫筒為硬質(zhì)(剛性)炭氈制造,更為先進(jìn)的保溫筒采用蜂窩結(jié)構(gòu),提高了隔熱和保溫效果。同時,裝填或維修方便,且使用壽命長。如果采用通用的軟性炭氈作為隔熱保溫材料,雖然造價較低,但裝填或維修十分不便,且污染環(huán)境。保溫筒可整體成型,也可分段成型后再組合,如圖3所示。分段組合式保溫筒不僅制造成本低,而且使用后哪段損壞換哪段,可降低成本。

      2.4 加熱器
      由圖1可知,在坩堝外圍是加熱元件,一部分電能使原料硅熔融,大部分電能用于熔融硅的保溫,是耗能裝置。隨著裝置大型化,加熱元件的尺寸隨之增大(ø96~ø100cm),需用抗拉伸強(qiáng)度和抗壓縮強(qiáng)度高的C/C制造。有C/C加熱型架和圓形加熱器,C/C加熱器也有方形的組件,其圓筒狀C/C發(fā)熱體可加熱到2500℃。我國湖南南方搏云新材料有限公司與中南大學(xué)合作研究大直徑(152cm) C/C整體加熱器和保溫筒。
    2.5 其它部件
      C/C復(fù)合材料還可以用來制造熱反射屏(筒)、上/下保溫蓋、防漏盤、螺栓、螺帽等配件,使熱場材料幾近石墨和C/C復(fù)合材料化。圖4是C/C復(fù)合材料制品和三明治結(jié)構(gòu)的保溫筒。

      3.生產(chǎn)單晶硅的石墨熱場材料
      3.1 石墨熱場材料的性能
      石墨熔點(diǎn)極高,在真空下到3000℃時才開始軟化,到3600℃時石墨開始蒸發(fā)升華;石墨的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性相當(dāng)高,其導(dǎo)電性比不銹鋼高4倍,比碳素鋼高2倍,比一般的非金屬高100倍。導(dǎo)熱性超過鋼、鐵、鋁等金屬材料,且隨溫度升高導(dǎo)熱系數(shù)降低,這和一般金屬材料不同;在極高的溫度下,石墨趨于絕熱狀態(tài),因此,在高溫條件下,石墨被用來作隔熱材料。石墨還具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,能耐酸、耐堿、耐有機(jī)溶劑的腐蝕。在直拉單晶爐中,熱場部件除保溫氈外,其余幾乎全部用高純、高強(qiáng)、高密度石墨制造。但石墨材料脆性大,在交變熱應(yīng)力和電磁力作用下容易產(chǎn)生裂紋。在加熱器上的微裂紋改變了零件的電性能和熱傳導(dǎo)性能,致使硅融體的溫度難于精確控制;石英坩堝與石墨坩堝、多晶硅熔體的熱不匹配。石英坩堝在高溫下產(chǎn)生塑性變形,在高溫下緊貼石墨坩堝;石英坩堝內(nèi)的殘余液體表面先冷卻,芯部后冷卻,多晶硅冷卻時尺寸膨脹,這些都使石墨坩堝受到較大的拉應(yīng)力作用。在反復(fù)的開爐、停爐、加熱冷卻過程中,石墨坩堝將很快產(chǎn)生裂紋并導(dǎo)致破損,這樣就大大縮短了石墨坩堝的使用壽命。拉制的單晶棒直徑越大,問題越嚴(yán)重。隨著信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,石墨制成的熱場零部件存在一定的局限性。
      3.2 熱場內(nèi)石墨材料的相關(guān)反應(yīng)
      單晶爐內(nèi)引起反應(yīng)的化學(xué)元素及化合物有Si(單晶硅原料)、SiO2( 石英坩堝)、C(石墨部件)。因此,爐內(nèi)存在的氣體有:
      1) Si蒸氣
      2) Si與石英坩堝反應(yīng)而生成的SiO氣體
      Si(L)+ SiO2(S)→2SiO(g) (1)
      3) 石墨坩堝與石英坩堝反應(yīng)而生成的SiO、CO氣體
      SiO2(S)+ C(S)→2SiO(g)+ CO(g) (2)
      SiO(g)+ 2C(S)→SiC(S)+ CO(g) (3)
      (1)對坩堝的影響
      坩堝的內(nèi)側(cè)面,由于上述(2)、(3)式氧化反應(yīng),分瓣面附近R(圓角)部分發(fā)生消耗,其厚度變薄。
    同時,由于(3)式的影響,內(nèi)側(cè)面發(fā)生體積膨脹,引起坩堝變形,分瓣面上部開裂。坩堝的外側(cè)面,由于Si蒸氣或SiO氣體而發(fā)生Si蒸氣的凝結(jié)(下面簡稱蒸結(jié)),并出現(xiàn)SiC涂層。但是,SiC生成的厚度比內(nèi)側(cè)面薄。
      (2)對加熱器的影響
      發(fā)熱部分的上半部正對著坩堝,溫度較高,由于與SiO氣體的反應(yīng)引起消耗,厚度及寬度變小。發(fā)熱體的下部分溫度較低,有Si蒸結(jié)及生成碳化硅現(xiàn)象。
      (3)對保溫筒的影響
      保溫筒內(nèi)側(cè)面與SiO氣體反應(yīng),生成SiC,使體積膨脹,可能發(fā)生變形、開裂現(xiàn)象。溫度低的時候,內(nèi)側(cè)面有Si蒸結(jié)現(xiàn)象。

    作者:許鵬 戴開瑛 張治軍 來源:《太陽能發(fā)電》雜志 責(zé)任編輯:wutongyufg

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