UNSW(新南威爾士大學)認為(光致)再生過程的機理在于促使P型硅中存在的H+轉化為H0，H0可以鈍化BO+缺陷乃至金屬離子如Fei+、Cri+，商業化的光致再生設備因需要高生產速率，因此需要利用到高強度的光照(如激光)以在幾秒鐘內完成再生過程。如下報告列舉了5家提供光致再生(LIR，Lightinduecdregeneration)設備的企業，其設備均有很好的處理效果。

國內的晶寶、時創、昊建等均開發了電注入(電致再生)設備，不同于光注入設備需要在電池端與在線生產，電注入設備可以離線布置在電池端或組件端，多個電池片堆疊通電處理，在制造端也得到了大規模的應用。

另外，摻Ga的P型硅與摻磷的N型硅則可以根本上杜絕了“B-O”衰減，也可以解決單晶PERC技術的光衰風險。因此單晶PERC技術規模應用在理論上不存在問題，卻對硅片品質與電池技術提出了更高的要求，光伏電站投資者需要選擇技術可靠的供應商以避免風險。

3.多晶PERC光衰與LeTID

根據以下2012年的研究，低氧與摻Ga均無法解決多晶PERC電池的光衰問題，并展示了不同溫度下測試光衰的差別，75oC下的光衰明顯高于25oC的結果，而75oC是組件戶外工作時可能出現的溫度。

因此Q-Cells在15年命名的LeTID(Light andelevated Temperature Induced Degradation，光與升溫導致的衰減)并不是一個新的概念，不少文獻還是堅持使用LIDinmc-silicon(多晶光衰)來描述同一現象。Q-Cells發現多晶PERC電池的開路電壓衰減在95oC高載流子注入的情況下在800小時后恢復至約99%，表明了多晶PERC電池再生態處理理論上的可行性，但由于耗時非常久，產業化付出的成本就會很高。