再來看自動分選，剛才很明顯灰色主檔位的效率基本上接近21.8%、21.9%這樣的平均效率，往右邊偏移。通過硅片質量的改善，平均效率基本上到21.9%這樣的水平。

同時通過第一、第二階段百萬片的生產，在產線工藝控制上，平均良率在第一、第二階段已經達到95%的平均水平。同時最關鍵的是，鑫單晶生產過程中，晶花比例在逐漸的下降。在鑫單晶硅片質量得到保證的前提下，進行工藝的改善就是事半功倍的效果。大家可以看到在鑫單晶這樣一個多主柵結合高阻密柵工藝改善，目前鑫單晶還沒有引入在直拉單晶上使用的SE工藝，僅是多主柵結合高阻密柵，9千片試驗結果來看，平均效率到了21.95%。

根據第二階段成果的改善，我們在第三階段就可以看到比較明顯的效果。在第三階段，通過700萬片電池的生產情況，可以看到產線平均的在右邊，平均效率基本上在21.9%左右上下波動，在硅片質量保證前提下，我們的生產工藝能夠穩定的改善，在目前情況下，可以做到21.9%左右的量產平均水平。

EL和前期的比較，到了第三階段，目前最主要鑫單晶的五個問題，就是EL降級比例大概是2%點幾，主要就是有個分界線，紅色比較規整的分界線，這是目前EL不良最大的比例。前期有所謂的絨絲這樣的比例，在目前的鑫單晶生產中比例已經非常小了，比例已經到0.05%，嚴重不合格絨絲的比例非常小。通過EL結果可以判斷目前鑫單晶硅片的質量已經提到一個新的高度。

硅片質量有保證的話，在電池工藝穩定生產情況下，可以看到組件結果，主檔位370W以上的比例在70%以上。這個也是我們后續持續改進的一個方向，也同樣說明鑫單晶有很大的潛力，最終能夠跟直拉單晶PK。

在2019年整年的計劃里面，我們有信心鑫單晶電池平均效率會占上21.8%的關口，這樣就有底氣和直拉單晶進行正面的PK。路線圖主要是兩方面：第一方面是硅片進一步優化，第二方面是電池工藝進一步改善。目前鑫單晶我們還沒有導入直拉單晶普遍的SE工藝，鑫單晶導入SE工藝以及進一步優化，到22.2%，22.3%這個是比較容易實現的目標。