表一列出在銳秀電池的研發(fā)和試量產(chǎn)過(guò)程中單多晶硅電池的I-V關(guān)鍵電性能數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)值，可以看出，MWT電池短路電流密度(Jsc)，開路電壓(Voc)，填充因子(FF)和轉(zhuǎn)換效率(Eta)相較于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)電池都有一定幅度的提升。在圖四中也展示了同一批MWT多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率的統(tǒng)計(jì)分布圖。其電池轉(zhuǎn)換效率集中分布于17.5%-17.8%區(qū)間，中值達(dá)到17.63%。試量產(chǎn)的碎片率控制在2%以下，滿足最終量產(chǎn)的可靠性要求。

表一：銳秀單多晶電池I-V數(shù)據(jù)中值統(tǒng)計(jì)

　　MWT電池量產(chǎn)的另一個(gè)關(guān)鍵是必須嚴(yán)格控制孔洞附近漏電現(xiàn)象。如前所述，灌孔漿料的抗漏電性能在銳秀電池的制作工藝中有很高的要求。此外優(yōu)化電池工藝的過(guò)程，嚴(yán)格控制濕刻工藝參數(shù)，改善灌孔漿料印刷質(zhì)量和接觸特性，以及優(yōu)化正面金屬化圖形，可以將銳秀電池的反向電流(Iver2)控制在0.3A以下。如圖五所示，工藝優(yōu)化前后銳秀多晶硅電池反向EL圖上顯示，孔洞附近的漏電現(xiàn)象明顯減弱。

圖五：工藝優(yōu)化前后銳秀多晶硅電池反向EL對(duì)比�？锥磧�(nèi)的漏電明顯降低。

　　5結(jié)論

　　晶澳太陽(yáng)能銳秀電池的開發(fā)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，在傳統(tǒng)電池的量產(chǎn)線平臺(tái)上增加一道激光穿孔工藝，既可實(shí)現(xiàn)MWT電池的量產(chǎn)化。銳秀電池的試量產(chǎn)證明了MWT電池在提升轉(zhuǎn)換效率和良品片產(chǎn)率的同時(shí)，生產(chǎn)成本也因此得到進(jìn)一步的降低。

　　在未來(lái)，晶澳將繼續(xù)在電池校準(zhǔn)片標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性和可靠性要求以及背面電極附著力標(biāo)準(zhǔn)等方面繼續(xù)優(yōu)化并提出相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)[4]。同時(shí)MWT電池的優(yōu)勢(shì)還在于能夠?qū)崿F(xiàn)與其它高效電池技術(shù)的結(jié)合。晶澳將在提高M(jìn)WT電池本身效率的基礎(chǔ)上，將這一基本的高效電池結(jié)構(gòu)平臺(tái)與選擇性發(fā)射極(SE)[7]、局部背場(chǎng)鈍化(LBSF)[8]、n型電池結(jié)構(gòu)相結(jié)合，進(jìn)一步提高M(jìn)WT電池轉(zhuǎn)換效率。

　　參考文獻(xiàn)：

　　[1] K. Meyer，et al., 2011，26th EPSEC，984

　　[2] M.W.P.E. Lamers1, et al 2010, 25th EPSEC，1417

　　[3] J.H. Bultman, et al., 2000, ECN publication, p1

　　[4] Wei Shan, 2011, 3rd Metallization Workshop, 6447

　　[5] Michael Neidert, et al, 2009, 24th EPSEC, 1424

　　[6] Rosalynne Watt, et al, 2011, 3rd Metallization Workshop, 6455

　　[7] Bing-Cyun Chen, et al., 2011, 26th EPSEC，2191

　　[8] B. Thaidigsmann1, et al., 2011, 26th EPSEC，817

　　本文作者：晶澳太陽(yáng)能 湯坤，周艷芳，蔣秀林，樸松源，單偉等