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    保利協鑫發布“鑫單晶G2”   稱平均光電轉換率逾19%

    2013-12-24 10:26:22 太陽能發電網
    多晶硅龍頭保利協鑫能源近日發布第二代類單晶硅片產品“鑫單晶G2”。相較于第一代類單晶產品G1,“鑫單晶G2”平均光電轉換效率超過19%,提升了1.1%,可用于制備280/335W(60/72PCS)以上電池組件。 相較于以傳統直拉法制

     

      多晶硅龍頭保利協鑫能源近日發布第二代類單晶硅片產品“鑫單晶G2”。相較于第一代類單晶產品G1,“鑫單晶G2”平均光電轉換效率超過19%,提升了1.1%,可用于制備280/335W(60/72PCS)以上電池組件。

      相較于以傳統直拉法制得的單晶產品,“鑫單晶G2”在電池制備過程中有0.5%的額外效率增益,光衰平均低1%,具有轉換效率相近、面積大、封裝損失低等特點。

      “鑫單晶G2”,加上原有的“鑫單晶G1”,高效多晶S1、S2、S3,經過不同的電池工藝,可制備從250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多種功率的組件產品。

      保利協鑫人員表示,第二代類單晶硅片產品“鑫單晶G2”,預計于明年進入商業化量產。

      據悉,保利協鑫明年的硅片產能,有望從目前的8GW提升到10GW。而正在推行的硅烷流化床技術,可降低多晶硅生產成本至約10美元/公斤。



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