事件：

　　東光微電公布年報，年報顯示公司主營收入2.09億元，同比增長了28.74%，實現利潤總額3538萬元，同比增長40.04%，同時公布了10年利潤分配預案，以2010年12月31日的總股本為基數，向全體股東每10股派現金紅利2元（含稅）。

　　點評

　　第四季度主營業務收入略下降，國內半導體分立器件市場進入高速成長期。2010年第4季度業績環比上一季度下降11.31%，同比09年下降22.66%。第4季度業績下降的主要原因是09第四季度基數較高，但仍屬于正常范圍以內，隨著旺季到來，公司將重新步入增長軌道。CCID預測國內半導體分立器件市場07-11年的增長率為19.1%。國際電子商情網的調查顯示，隨著風力發電和太陽能發電項目、汽車電子、LED 照明、高清電視、智能手機、軌道交通、 智能電表等行業應用的拉動，中國將成為全球最大的功率器件市場。2009年中國功率器件銷售額超過870億元，2010年預計將在此基礎上增長9.89％至956億元，而到了2011年功率器件在中國市場銷售量預計將達全球市場的一半，達到1060億元。

　　我們認為高端的半導體功率器件產品如MOSFET、IGBT的增速將高于晶閘管和雙極型晶體管，公司的VDMOS等產品有廣闊的進口替代成長空間。

　　半導體防護器件王者，等待“大防護”市場爆發。公司從98年創建初始，就開始研發和生產半導體防護器件，目前已經是國內通信設備防護器件的領導者，市場占有率第一，近兩年都維持在80%左右，客戶結構穩定，市場的認可度極高。公司去年防護器件生產線滿載運轉，產能利用率超過100%。隨著今年年底募投項目4英寸生產線的投產，防護器件的生產規模將擴大170%，到那時規模效應會得到更好的體現，因此，我們認為公司防護器件的毛利率將在今后三年內繼續保持在55%左右。公司將繼續維護好原有通訊市場防護器件市場領先地位，同時，積極開拓應用于智能電網電力設備、高端精密生產設備等新的防護器件領域，做“大防護”市場的領導企業。

　　VDMOS 4寸線技改項目順利進行，進口替代前景廣闊。VDMOS是節能燈、新能源逆變器的關鍵高端器件，良好的性價比使其成為目前最重要的功率開關器件，在整個半導體器件市場大概占40%份額。由于承擔了工信部的新能源500V/30A VDMOS的產品開發項目和公司的IGBT研發項目，VDMOS的產能受到一定的影響，未來如果工信部的項目研發成功，公司的高端VDMOS產品將正式打入國家極力倡導的新能源產業。同時，公司用于其它VDMOS器件生產的產能已經滿載，該生產線渡過爬坡期后，產能利用率將加速提升，預計毛利率也會較之前的10%~20%有較大程度的提高。另外，公司2005年從奧地利引進的4英寸線的生產設備更新、替換工作正在順利進行，生產線的技改完成后，預計VDMOS出貨量將比現在增長140%。由于VDMOS的生產技術壁壘較高，目前國內僅有士蘭微、華微電子、東光微電等幾家公司可以量產VDMOS。公司將繼續完善VDMOS的產品規格，改善制造工藝和技術，使產品的性能盡快趕上國際大廠仙童、ST、Vishay的同類產品，實現進口替代。

　　公司的IGBT的研發取得突破，小范圍供樣客戶試用中。IGBT項目一直是公司細心呵護和培育的重點，目前已經取得階段性的成果，并已開始對幾家公司小批量送樣，雖然目前還無法給公司貢獻利潤，但公司在VDMOS研發上的積累的技術優勢，為研制IGBT提供了強有力的技術平臺支撐，IGBT的應用領域非常廣闊，包括電力機車、空調變頻、太陽能光伏發電以及UPS通信電源，目前國內還沒有自主品牌的IGBT，甚至中小功率的IGBT芯片封裝能力都比較欠缺，IGBT主要被日本、歐美企業壟斷，我們期待公司的核心IGBT芯片和封裝上能取得更大的成功。

　　優化可控硅、1300產品結構，擴建封裝線。公司的可控硅器件一直供不應求，目前已進入市場前景廣闊家電功率控制領域，毛利率會有提高。1300系列器件方面，由于市場上對已形成規模優勢的華微電子等公司的相關產品認可度更高，公司的1300系列產品將會逐漸轉向工藝難度更高的電源領域。同時，1300生產線也部分用于生產與IGBT配套使用的FRD（快速恢復二極管），形成公司新的利潤增長點。公司放在子公司東晨電子的封裝生產線擴建項目將為公司新增6.5億只的封裝產能，基本滿足本公司自身的芯片封裝需求，為公司節省外協封裝成本。

　　首次給與 “審慎推薦”評級。預計2011-2013 年EPS 分別為0.43 元、0.69 元、和1.06 元，按照最新股價23.03 元，對應的PE 分別為53 倍、33 倍和22 倍，我們認為雖然今年整個半導體行業不會有去年30%那么高的增長速度，但是考慮到半導體功率器件近年來加速向中國國內產能轉移的態勢，隨著公司募投項目的投產，我們期待公司業績未來將有更大的驚喜。