保利協(xié)鑫：顆粒硅，硅料的未來
1月14日保利協(xié)鑫能源發(fā)布公告稱，公司以每股1.08港元配售39億新股，配售價(jià)較前一交易日收市價(jià)1.23港元折讓約12.2%，配售股份占該公司經(jīng)擴(kuò)后股本約15.57%。本次配售預(yù)計(jì)募集資金42.12億港元，用于顆粒硅項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)。保利協(xié)鑫能源預(yù)期至2020年底，硅烷流化床法(FBR)顆粒硅的有效產(chǎn)能將由目前6000噸提升至100
1月14日保利協(xié)鑫能源發(fā)布公告稱，公司以每股1.08港元配售39億新股，配售價(jià)較前一交易日收市價(jià)1.23港元折讓約12.2%，配售股份占該公司經(jīng)擴(kuò)后股本約15.57%。本次配售預(yù)計(jì)募集資金42.12億港元，用于顆粒硅項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)。
保利協(xié)鑫能源預(yù)期至2020年底，硅烷流化床法(FBR)顆粒硅的有效產(chǎn)能將由目前6000噸提升至10000噸。
20年9月以來，保利協(xié)鑫啟動(dòng)了多個(gè)顆粒硅項(xiàng)目的建設(shè)。先是在9月8日，公司旗下江蘇中能規(guī)劃產(chǎn)能10萬噸、首期5.4萬噸顆粒硅項(xiàng)目正式開工擴(kuò)建，而該項(xiàng)目也是全球單體最大規(guī)模的顆粒硅項(xiàng)目。第一階段于2021年6月年產(chǎn)能擴(kuò)至3萬噸，第二階段是到2021年底年產(chǎn)能擴(kuò)至5.4萬噸。
顆粒硅簡(jiǎn)介：硅烷法生產(chǎn)的顆粒狀多晶硅
多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。
目前世界上絕大部分廠家均采用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅。改良西門子法生產(chǎn)多晶硅是目前最為成熟、應(yīng)用最廣泛、擴(kuò)展速度最快的技術(shù)。
2017年，保利協(xié)鑫以1.5億美元的全現(xiàn)金方式收購(gòu)SunEdison，保利協(xié)鑫將獲得電子級(jí)硅烷流化床顆粒硅技術(shù)及資產(chǎn)、第五代CCZ連續(xù)直拉單晶技術(shù)及資產(chǎn)、包含相關(guān)設(shè)備及知識(shí)產(chǎn)權(quán)等。
2019年，保利協(xié)鑫實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化及關(guān)鍵材料替代，主編國(guó)內(nèi)顆粒硅國(guó)標(biāo)行標(biāo)，實(shí)現(xiàn)FBR裝置長(zhǎng)周期運(yùn)行及品質(zhì)突破，完全滿足主流市場(chǎng)單晶硅料需求。
顆粒硅的優(yōu)勢(shì)：
成本更低：流化床工藝反應(yīng)溫度更低
改良西門子法多晶硅生產(chǎn)的西門子工藝，其原理就是在1100℃左右的高純硅芯上用高純氫還原高純?nèi)葰涔瑁啥嗑Ч璩练e在硅芯上。流化床技術(shù)反應(yīng)溫度為730℃左右。
成本更低：折舊、電耗更低
相比傳統(tǒng)工藝，F(xiàn)BR不僅生產(chǎn)技術(shù)流程更短、后處理工序更少，還將使投資強(qiáng)度下降30%，生產(chǎn)電耗降低約65%，項(xiàng)目人員需求降低30%。目前大全新能源投資在10億元/萬噸，投資強(qiáng)度比較大，折舊占比高。以大全新能源的2020年Q3為例，多晶硅折舊成本占比為16%。
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：達(dá)到電子級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，滿足光伏級(jí)要求
美國(guó)MEMC顆粒硅能達(dá)到電子級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，用于半導(dǎo)體用單晶生產(chǎn)中。
性能更優(yōu)：?jiǎn)尉нB續(xù)投料的優(yōu)選
顆粒料的易流動(dòng)性給直拉單晶帶來附加價(jià)值：
1、減少了破碎環(huán)節(jié)，塊狀硅需要破碎，破碎成本1-3元/公斤；
2、對(duì)石英加料筒的內(nèi)壁沖擊損耗低，延長(zhǎng)石英筒使用壽命；
3、顆粒硅填充性好，加料桶可以多裝15-20%的顆粒硅，避免大塊料堵塞的問題；
4、可以結(jié)合自動(dòng)加料到加料筒，也能使用外置復(fù)投裝置，節(jié)省人力和加料時(shí)間。
性能更優(yōu)：顆粒硅能滿足CCZ直拉單晶
直拉單晶工藝分為RCZ（多次拉晶）和CCZ（連續(xù)直拉）。CCZ法在坩堝所允許的壽命周期內(nèi)可完成8-10根的晶棒拉制，而RCZ目前僅可完成4-5根拉制。
移動(dòng)式自動(dòng)復(fù)投技術(shù)是CCZ與RCZ的核心差異，目前FBR（硅烷流化床法）生產(chǎn)的高品質(zhì)顆粒硅產(chǎn)品可作為CCZ的最佳用料。
作者： 來源：格隆匯 責(zé)任編輯：jianping
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