日本網(wǎng)屏制造與岐阜大學(xué)開發(fā)出了能夠以非破壞性方式，對構(gòu)成薄膜硅型太陽能電池的非晶硅膜薄膜特性進(jìn)行解析的技術(shù)。將在2010年秋季作為日本網(wǎng)屏制造的分光Ellipso式膜厚測定裝置“RE-8000”系列的選配功能實(shí)際應(yīng)用。雙方從2008年11月就開始共同開發(fā)薄膜硅型太陽能電池評測技術(shù)。

　　薄膜硅型太陽能電池大多重疊非晶硅膜和微晶硅膜后使用。其中，非晶硅膜存在的課題是照射光線后會劣化，從而導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率降低。光劣化的原因是在非晶硅膜成膜時導(dǎo)入的過量氫。在制造薄膜硅型太陽能電池時，一直對以非破壞性方式來分析氫含量從而控制光劣化的技術(shù)存在需求。

　　日本網(wǎng)屏制造與岐阜大學(xué)開發(fā)出了測定SiH和SiH2等，從而可以掌握氫含量及其分布的技術(shù)。測定中采用了現(xiàn)有分光Ellipso式膜厚測定裝置的硬件。向現(xiàn)有的膜厚測定裝置中導(dǎo)入軟件，便可以在測定膜厚的同時分析氫含量。另外，用于氫含量分析的追加費(fèi)用等尚未確定。

　　日本網(wǎng)屏制造將在2010年6月30日～7月2日于太平洋橫濱會展中心舉行的太陽能電池展會“PVJapan2010”上，利用展板展示配備了此次技術(shù)的分光Ellipso式膜厚測定裝置。