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    鑄錠單晶產品兼具多、單晶雙重技術優(yōu)點

    2018-07-31 12:26:12 太陽能發(fā)電網(wǎng)
    “更低氧含量、更低衰減、無缺角,鑄錠單晶產品性價比優(yōu)勢明顯”,7月27日,在上海市太陽能學會年會暨先進技術集成研討會上,江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司技術服務部經理黃春來作《GCL鑄錠單晶技術進展》報告。他認為,鑄錠單晶產品兼具多、單晶技術優(yōu)點,和Cz單晶相比,將為客戶帶來更多價值

    “更低氧含量、更低衰減、無缺角,鑄錠單晶產品性價比優(yōu)勢明顯”,7月27日,在上海市太陽能學會年會暨先進技術集成研討會上,江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司技術服務部經理黃春來作《GCL鑄錠單晶技術進展》報告。他認為,鑄錠單晶產品兼具多、單晶技術優(yōu)點,和Cz單晶相比,將為客戶帶來更多價值。

     
      黃春來認為,多晶鑄錠硅片產品技術優(yōu)勢為高產能、低光衰、低封裝損失;Cz單晶產品轉換效率高、位錯密度低、可以采用堿制絨工藝,采用鑄錠方法生產的單晶硅片兼具二者技術優(yōu)勢。下游客戶使用反饋,疊加PERC技術后,鑄錠單晶與Cz單晶效率差僅為0.18%,而成本大幅降低。


      “鑄錠單晶產品的低光衰源于鑄錠工藝特性和摻鎵技術”,黃春來表示,數(shù)據(jù)顯示,常規(guī)硼摻雜鑄錠單晶硅片的氧含量僅為Cz單晶硅片的40%,可顯著降低硼氧復合導致的光致衰減;另一方面,鑄錠單晶通過采用鎵元素部分代替硼元素,可以從源頭上減少硼氧復合體的產生,光衰比Cz單晶產品低0.5%以上,長期發(fā)電量更高。

     
      黃春來表示,鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產品,其平臺技術可自由疊加半片、疊瓦、雙玻雙面等電池和組件技術,由于不存在缺角,半片組件比Cz單晶組件更美觀;在不允許缺角的疊瓦組件制造時,其硅片面積100%可利用,比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。


      以Cz單晶組件為基準,黃春來測算了鑄錠單晶組件的度電成本。數(shù)據(jù)顯示,在同功率輸出的條件下,鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦,度電成本低0.006元/度。

      黃春來介紹,保利協(xié)鑫2011年即開始研究鑄錠單晶技術,已經發(fā)布第三代產品。目前,保利協(xié)鑫鑄錠熱場工藝、錠檢設備、產品品質全面升級,對稱性熱場,分段式加熱控制有效降低位錯,實現(xiàn)高品質整錠單晶。繼金剛線切黑硅片之后,鑄錠單晶硅片將成為對市場有重大影響的差異化產品。


    作者: 來源:太陽能發(fā)電網(wǎng) 責任編輯:jianping

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