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    工信部:2015新版光伏制造行業規范條件

    2015-03-30 15:41:12 太陽能發電網
      為深入落實《國務院關于促進光伏產業健康發展的若干意見》(國發〔2013〕24號),進一步推動光伏產業結構調整和轉型升級,持續加強行業管理,提高行業發展水平,經商有關部門,我們對《光伏制造行業規范條件》進行了修訂,形成了《光伏制造行業規范條件(2015年本)》。現予以公告。  附件:光伏制造行業

      為深入落實《國務院關于促進光伏產業健康發展的若干意見》(國發〔2013〕24號),進一步推動光伏產業結構調整和轉型升級,持續加強行業管理,提高行業發展水平,經商有關部門,我們對《光伏制造行業規范條件》進行了修訂,形成了《光伏制造行業規范條件(2015年本)》。現予以公告。
      附件:光伏制造行業規范條件(2015年本)
      工業和信息化部
      2015年3月25日


      光伏制造行業規范條件(2015年本)
      為加強光伏行業管理,引導產業加快轉型升級和結構調整,推動我國光伏產業持續健康發展,根據國家有關法律法規及《國務院關于促進光伏產業健康發展的若干意見》(國發[2013]24號),按照優化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持應用的原則,制定本規范條件。
      一、生產布局與項目設立
      (一)光伏制造企業及項目應符合國家資源開發利用、環境保護、節能管理等法律法規要求,符合國家產業政策和相關產業規劃及布局要求,符合當地土地利用總體規劃、城市總體規劃、環境功能區劃和環境保護規劃等要求。
      (二)在國家法律法規、規章及規劃確定或省級以上人民政府批準的基本農田保護區、飲用水水源保護區、自然保護區、風景名勝區、重要生態功能保護區和生態環境敏感區、脆弱區等法律、法規規定禁止建設工業企業的區域不得建設光伏制造項目。上述區域內的現有企業應逐步遷出。
      (三)嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目。對加強技術創新、降低生產成本等確有必要的新建和改擴建項目,報行業主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目,最低資本金比例為20%。

      二、生產規模和工藝技術
      (一)光伏制造企業應采用工藝先進、節能環保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備。
      (二)光伏制造企業應具備以下條件:在中華人民共和國境內依法注冊成立,具有獨立法人資格;具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售后服務能力;具有省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質,每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣;申報符合規范名單時上一年實際產量不低于本條第(三)款產能要求的50%。
      (三)光伏制造企業按產品類型應分別滿足以下要求:
      1.多晶硅項目每期規模不低于3000噸/年;
      2.硅錠年產能不低于1000噸;
      3.硅棒年產能不低于1000噸;
      4.硅片年產能不低于5000萬片;
      5.晶硅電池年產能不低于200MWp;
      6.晶硅電池組件年產能不低于200MWp;
      7.薄膜電池組件年產能不低于50MWp;
      8.逆變器年產能不低于200MWp(微型逆變器不低于10MWp)。
      (四)現有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求:
      1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求;
      2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2μs,碳、氧含量分別小于10和16PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs,碳、氧含量分別小于1和16PPMA;
      3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于17%和18.5%;
      4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于15.5%和16%;
      5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、11%、11%、10%;
      6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于96%,不含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于98%(微型逆變器相關指標分別不低于94%和95%)。
      (五)新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求:
      1.多晶硅滿足《硅多晶》(GB/T12963)2級品以上要求;
      2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2.5μs,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;單晶硅片少子壽命大于11μs,碳、氧含量分別小于1和16PPMA;
      3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18.5%和20%;
      4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17%;
      5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。
      (六)多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內分別不高于2.5%和3%,25年內不高于20%;薄膜電池組件衰減率在1年內不高于5%,25年內不高于20%。

    作者: 來源:工信部 責任編輯:wutongyufg

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