原標題：單、多晶太陽能2017年恐啟動史上最強攻防戰(zhàn)

來源：DIGITIMES

作者：黃女瑛

　　主流P型單、多晶太陽能產(chǎn)品被預估在2017年將啟動史上最激烈的領土攻防戰(zhàn)，市占率維持在2成左右的P型單晶，在高效PERC技術助陣下，有機會大舉搶食座擁8成市占的多晶市場，多晶則因黑硅電池進展不如預期，讓城墻牢靠度有不足之嫌，如果無法扭轉(zhuǎn)當下局勢，預估2017年單、多晶市場恐將改為4:6，而且，往后多晶恐有一蹶不振、節(jié)節(jié)敗退的危機。

 

　　單、多晶太陽能產(chǎn)品在終端市占率一路維持約2：8的比例，主因單晶硅晶圓、電池的生產(chǎn)成本較高，過往10年常發(fā)生市占率甚至在2成以下，也不足為奇，但2015年電池端PERC技術有效發(fā)展，使單晶電池效率拉升，在終端市場受到好評，發(fā)展?jié)摿Υ蟠蟊豢春茫�所�?016、2017年PERC成太陽能產(chǎn)業(yè)鏈擴產(chǎn)的主要動力，積極步入量產(chǎn)規(guī)模化，可望使其量產(chǎn)成本再下探。

 

　　多晶太陽能電池在效率拉升上已遇到瓶頸點，即使多晶視之為殺手锏的黑硅技術，被認為在成本、效率上可望大有進展，但是，目前看來量產(chǎn)成熟度仍不如預期，即使兩岸各大太陽能廠實驗室仍積極投入研發(fā)及小量產(chǎn)。相關太陽能廠表示，2017年仍不悲觀，因為各家均如火如荼投入，有機會走入量產(chǎn)。

 

　　黑硅電池被視為是當下多晶產(chǎn)品維讓領土的最后一道讓城墻，主要是多晶硅晶圓可透過鉆石切割法使生產(chǎn)成本有效降低，而在電池端則透過轉(zhuǎn)換成干或濕蝕刻來因應以提升效率，使黑硅電池性價比上再進一城，但是，2016年發(fā)展進度不如預期，2017年恐出現(xiàn)讓城墻牢靠度不足的問題。

 

　　因為單晶PERC電池擴產(chǎn)兇猛，使得單晶硅晶圓也跟著大幅擴產(chǎn)，單晶產(chǎn)品性價比提升度更為明朗化，單晶硅晶圓廠堅持在報價與多晶維持“安全距離”近2年，就是為了鞏固既有的版圖、不容許些許流失，待PERC快速成長后，得以大舉搶破多晶守固多年的城河。

 

　　太陽能業(yè)者推估，2017年如果黑硅的表現(xiàn)無法突破現(xiàn)況，恐怕多晶市占將由原本的8成降至6成，而單晶則由原本的2成升至4成。而且，一旦讓單晶PERC電池大舉走入量產(chǎn)規(guī)模、使生產(chǎn)成本再降低，恐怕正式啟動單、多晶世代交替，因為單晶可創(chuàng)造高效率空間高于多晶，成為市場主流后，多晶未來恐無翻身機會，市占率恐怕會節(jié)節(jié)敗退，如同過往硅薄膜邊退居到價格極差的邊緣性市場，逐步退出市場。

 

　　電池廠可透過制程轉(zhuǎn)換調(diào)節(jié)單、多晶電池產(chǎn)出比重，組件調(diào)節(jié)度也不大，所以，單、多晶市占率比重重新調(diào)整，沖擊最大的是多晶硅晶圓廠，因為單、多硅晶圓制程獨立，無法轉(zhuǎn)換，一旦單晶掌控主導權，化表多晶產(chǎn)能將成為難以創(chuàng)造盈餘的負擔。

 

　　2016、2017年單晶硅晶圓大舉擴產(chǎn)，部分多晶廠也開始跨足單晶以免失去市場，代表廠包括龍頭廠大陸隆基、中環(huán)環(huán)歐、保利協(xié)鑫、傳出有擴產(chǎn)計劃的友達晶材、晶科等，而多晶領域則以現(xiàn)有產(chǎn)能做去瓶頸式的提升，代表廠包括保利協(xié)鑫、賽維、昱輝、臺灣綠能等。